SSM3J351R,LF

规格参数

• 长（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 场效应管类型 P-通道
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A（Ta）
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 工作温度 150摄氏度
• 最大功耗 2W（Ta）
• 包装/外壳 SOT-23-3扁平导线
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 660 pF @ 10 V
• 供应商设备包装 SOT-23F
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15.1 nC@10 V
• 最大栅源极电压 (Vgs) +10伏、-20伏
• 导通电阻 Rds(ON) 134毫欧姆@1A，10V
• 色彩/颜色 -