FDN327N

Name: FDN327N
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 7137232-FDN327N
Price: 0.556385 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta）最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
交期:2-3 工作日

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数量	单价	合计
1+	0.55638	0.55638
10+	0.45129	4.51291
30+	0.39874	11.96229
100+	0.35932	35.93280
600+	0.31791	190.74780
1200+	0.30214	362.57400

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规格参数

长（英寸） -
制造厂商台舟 (TECH PUBLIC)
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
漏源电压标 (Vdss) 20伏
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备包装 SOT-23-3
漏源电流 (Id) @ 温度 2A（Ta）
最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
最大功耗 500mW (Ta)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.3 nC @ 4.5 V
导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 2A, 4.5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 423 pF @ 10 V
色彩/颜色黑色

FDN327N 产品详情

此20V N沟道MOSFET采用高压PowerTrench工艺。它已针对电源管理应用进行了优化。

特色

2安培，20伏
RDS（ON）=70 mΩ@VGS=4.5 V
RDS（开启）=80 mΩ@VGS=2.5 V
RDS（ON）=120 mΩ@VGS=1.8 V
低栅极电荷
快速切换速度
用于极低RDS的高性能沟槽技术（开启）

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。
负载开关
蓄电池保护
电源管理

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型号	制造商	描述	价格
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FDN327N所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN327N 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN327N价格参考￥0.556385，你可以下载 FDN327N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN327N规格参数、现货库存、封装信息等信息！