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STL100N10F7是MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为19 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为27ns，Qg栅极电荷为61nC。
STL065SC3DM072N是STL065SC 3DM072N=WDUALOBE，包括NANONICS商品名，它们设计用于STL系列，产品如数据表说明所示，用于I/O电缆，提供部件号别名功能，如4-1589476-0，连接器端B设计用于电线，以及插座连接器端a。
STL10，电路图由三星制造。STL10采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
