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PHB33NQ20T,118

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32.7A (Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.21009 15.21009
10+ 13.69632 136.96324
100+ 11.00703 1100.70350
800+ 9.04312 7234.49840
1600+ 7.75127 12402.04640
  • 库存: 0
  • 单价: ¥14.41337
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.21
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
  • 最大功耗 230W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 32.7A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 77毫欧姆 @ 15A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 32.2 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1870 pF@25 V
  • 色彩/颜色 -

PHB33NQ20T,118 产品详情

PHB33NQ20T,118所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PHB33NQ20T,118 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PHB33NQ20T,118价格参考¥14.413371,你可以下载 PHB33NQ20T,118中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PHB33NQ20T,118规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

安世半导体 (Nexperia)

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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