9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD9110PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD9110PBF价格参考$1.71000。Vishay Siliconix IRFD9110PBF封装/规格：MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP。您可以下载IRFD9110PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFD9024PBF是MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP，包括管封装，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于HVMDIP-4，提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为68 ns，上升时间为68纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为280 mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
IRFD9024，带有IR制造的用户指南。IRFD902采用DIP4封装，是IC芯片的一部分，P沟道60V 1.6A（Ta）1.3W（Ta）通孔4-DIP，Hexdip，HVMDIP，Trans-MOSFET P-CH 60V 1.6V 4引脚HVMDIP。
IRFD9110是由IR制造的MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP。IRFD91110可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH100V 0.7A-4-DIP，P沟道100V 700mA（Ta）1.3W（Ta）通孔4-DIP、Hexdip、HVMDIP。
