特色
- VGS=10V，ID=80 A时，典型RDS（开）=2.4 mΩ
- VGS=10V，ID=80 A时的典型Qg（tot）=86 nC
- UIS能力
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDBL0330N80
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 42.80553 | 42.80553 |
| 10+ | 38.43082 | 384.30827 |
| 100+ | 31.48561 | 3148.56110 |
| 500+ | 26.80293 | 13401.46550 |
| 1000+ | 25.68730 | 25687.30700 |
| 2000+ | 25.68730 | 51374.61400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥34.40378
-
数量:
- +
- 总计: ¥42.81
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 最大功耗 300W (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 包装/外壳 8-PowerSFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 112 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 220A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 3毫欧姆 @ 80A, 10V
- 供应商设备包装 8-HPSOF
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6320 pF @ 40 V
- 色彩/颜色 -
FDBL0330N80 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET，80V，220A，3.0mΩ
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| FDBD-25PF(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
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| FDBD-25S-562A360(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥349.7017 |
| FDBD-25S-562A660(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥213.17303 |
| FDBD-25S-610A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥87.23349 |
| FDBD-25S-610A600(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥285.86278 |
FDBL0330N80所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDBL0330N80 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDBL0330N80价格参考￥34.403775，你可以下载 FDBL0330N80中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDBL0330N80规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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