9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFZ44STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFZ44STRLPBF价格参考2.92000美元。Vishay Siliconix IRFZ44STRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK。您可以下载IRFZ44STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFZ44PBF是MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB，包括IRF/SIHFZ44系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有150 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为92 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为50 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为28mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强型。
IRFZ44RPBF是MOSFET N-Chan 60V 50 Amp，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IRF/SIHFZ44系列，该器件的上升时间为110纳秒，漏极电阻Rds为28毫欧，Pd功耗为150瓦，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为50 A，下降时间为92 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRFZ44R是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB。IRFZ44R可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH60V 50A-TO-220AA、N沟道60V 50B（Tc）150W（Tc。
IRFZ44S是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK。IRFZ44S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH60V 50B D2PAK、N沟道60V 50C（Tc）3.7W（Ta）、150W（Tc。
