9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7148DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7148DP-T1-GE3参考价格为3.06000美元。Vishay Siliconix SI7148DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8。您可以下载SI7148DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7145DP-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7145DP-GE3中使用的零件别名，SI7145DP GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为104W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为15660pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为60A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.6mOhm@25A，10V，Vgs最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为413nC@10V，Pd功耗为104W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为43 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-60 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为2.6 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为107ns，典型接通延迟时间为125ns，Qg栅极电荷为129nC，正向跨导最小值为110S，信道模式为增强。
SI7148DP-T1-E3是MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于75 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为33 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，系列为TrenchFETR，上升时间为255 ns，Rds On Max Id Vgs为11 mOhm@15A，10V，Rds On Drain Source Resistance为11 m欧姆，功率最大值为96W，Pd功耗为5.4 W，零件别名为SI7148DP-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150℃，输入电容Cis-Vds为2900pF@35V，Id连续漏极电流为28A，栅极电荷Qg-Vgs为100nC@10V，正向跨导Min为60S，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为100ns，漏极到源极电压Vdss为75V，25°C的电流连续漏极Id为28A（Tc），配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7148DP，带有SI制造的电路图。SI7148D可在QFN-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
