9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN1R5-30BLEJ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN1R5-30BLEJ价格参考3.56000美元。Nexperia USA Inc.PSMN1R5-30BLEJ封装/规格：MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK。您可以下载PSMN1R5-30BLEJ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN1R4-40YLDX具有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，技术如数据表注释所示，用于Si，提供信道数功能，如1信道，配置设计为单信道，以及LFPAK-4封装盒，该器件也可以用作1 N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为238 W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为49 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，第Vgs栅极源极阈值电压为1.7 V，Rds漏极-源极电阻为1.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为39ns，Qg栅极电荷为45nC，沟道模式为增强。
PSMN1R5-25YL，115是MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK，包括2.15V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与LFPAK、Power-SO8供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如1.5 mOhm@15A，10V，Power Max设计为109W，以及磁带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备也可以用作SC-100，SOT-669，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用表面安装安装型，该器件具有4830pF@12V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为76nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id 25°C为100A（Tc）。
PSMN1R5-25YL，带有NXP制造的电路图。PSMN1R5-25YL在LFPAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
