特色
- VGS=10V，ID=80A时，Typ rDS（开）=1.9mΩ
- VGS=10V时，典型Qg（10）=215nC
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合AEC Q101
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDB8441
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Ta）、120A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 26.29172 | 26.29172 |
| 10+ | 23.63358 | 236.33583 |
| 100+ | 19.36534 | 1936.53420 |
| 800+ | 16.48563 | 13188.50960 |
| 1600+ | 15.79951 | 25279.22720 |
- 库存: 104
- 单价: ¥26.29173
-
数量:
- +
- 总计: ¥26.29
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 最大功耗 300W (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 280 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15000 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 2.5毫欧姆@80A，10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 28A（Ta）、120A（Tc）
- 色彩/颜色 -
FDB8441 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET 40V，80A，2.5Ω
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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FDB8441所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDB8441 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDB8441价格参考￥26.291727，你可以下载 FDB8441中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDB8441规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
