9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR166DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR166DP-T1-GE3价格参考1.43000美元。Vishay Siliconix SIR166DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8。您可以下载SIR166DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR164DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR164DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为5.2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为39 ns，上升时间为41 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为33.3A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.5mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
SIR164DP-T1-GE3 R164，带有VISHAY制造的用户指南。SIR164DP-T1-GE3 R164采用UltraSO8封装，是FET的一部分-单个。
SIR166DP，带有VIAHSY制造的电路图。SIR166DP在DFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
