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NTTFS3D7N06HLTWG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、103A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、83W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 18.32453 18.32453
10+ 16.47035 164.70355
100+ 13.24002 1324.00210
500+ 10.87796 5438.98350
1000+ 9.88909 9889.09400
3000+ 9.88909 29667.28200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥16.44138
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.32
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 供应商设备包装 8-PQFN (3.3x3.3)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@120A.
  • 最大功耗 2.2W(Ta)、83W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16A(Ta)、103A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.9毫欧姆 @ 23A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 32.7 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2383 pF@30 V
  • 色彩/颜色 -

NTTFS3D7N06HLTWG 产品详情

NTTFS3D7N06HLTWG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTTFS3D7N06HLTWG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTTFS3D7N06HLTWG价格参考¥16.441383,你可以下载 NTTFS3D7N06HLTWG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTTFS3D7N06HLTWG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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