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NTB7D3N15MC

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.2A(Ta)、101A(Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 166W (Tc) 供应商设备包装: DPAK-3 (TO-263-3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 26.65387 26.65387
10+ 23.95227 239.52270
25+ 22.64420 566.10507
100+ 19.62391 1962.39130
250+ 18.61773 4654.43250
800+ 16.70567 13364.54080
1600+ 16.61448 26583.18080
  • 库存: 270
  • 单价: ¥26.65387
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥26.65
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 53 nC @ 10 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 8V, 10V
  • 漏源电压标 (Vdss) 150伏
  • 供应商设备包装 DPAK-3 (TO-263-3)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15.2A(Ta)、101A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.3毫欧姆 @ 62A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 342A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4250 pF @ 75 V
  • 最大功耗 3.75W (Ta), 166W (Tc)
  • 色彩/颜色 黑色

NTB7D3N15MC 产品详情

NTB7D3N15MC所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTB7D3N15MC 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTB7D3N15MC价格参考¥26.653872,你可以下载 NTB7D3N15MC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTB7D3N15MC规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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