SI3464DV-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.6W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 4.70788 | 4.70788 |
10+ | 4.03429 | 40.34295 |
100+ | 3.01159 | 301.15980 |
500+ | 2.36625 | 1183.12750 |
1000+ | 1.82847 | 1828.47000 |
3000+ | 1.66709 | 5001.29400 |
6000+ | 1.61335 | 9680.13600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.70789
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.71
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC @ 5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@7.5A,4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1065 pF@10 V
- 最大功耗 2W(Ta),3.6W(Tc)
- 色彩/颜色 -
SI3464DV-T1-GE3 产品详情
N沟道MOSFET,8V至25V,Vishay半导体
SI3464DV-T1-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI3464DV-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI3464DV-T1-GE3价格参考¥4.707885,你可以下载 SI3464DV-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI3464DV-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...