特色
- RDS（ON）=32mΩ（典型值），VGS=10V，ID=32A
- Qg（tot）=18.5nC（典型值），VGS=10V
- 低米勒电荷
- 低QRR体二极管
- UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合AEC Q101
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDB3682
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 32A (Tc) 最大功耗: 95W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 14.99280 | 14.99280 |
| 10+ | 13.45006 | 134.50065 |
| 100+ | 10.81147 | 1081.14770 |
| 800+ | 8.88276 | 7106.21200 |
| 1600+ | 8.07532 | 12920.52160 |
- 库存: 0
- 单价: ¥14.99280
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.99
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28 nC @ 10 V
- 最大功耗 95W（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1250 pF@25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Ta), 32A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 36毫欧姆 @ 32A, 10V
- 色彩/颜色 -
- 长（英寸） twelve
FDB3682 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET，100V，32A，36mΩ，最新的屏蔽栅PowerTrench™MOSFET，结合了较小的QSYNC和软反向恢复本征体二极管性能以及快速开关，可大幅提高同步整流效率。
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| FDBD-25S-610A600(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥285.86278 |
FDB3682所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDB3682 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDB3682价格参考￥14.992803，你可以下载 FDB3682中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDB3682规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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