9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3476DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3476DV-T1-GE3参考价格为0.58000美元。Vishay Siliconix SI3476DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP。您可以下载SI3476DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI3473DV-T1-E3是MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于SI3473DV E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为50纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为5.9 a，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds漏极源极电阻为23mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强型。
Si3473DV-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作23mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1.1 W，该器件以SI3473DV-GE3零件别名提供，该器件具有一个包装卷，包装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为5.9 a，配置为单一。
SI3475DV-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP。SI3475DV-T1-GE3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP、P沟道200V 950mA（Tc）2W（Ta）、3.2W（Tc）表面安装6-TSOP，Trans MOSFET P-CH200V 0.75A 6-Pin TSOP T/R。
