9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLR024PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLR024PBF参考价格为1.76000美元。Vishay Siliconix IRLR024PBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK。您可以下载IRLR024PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRLR024PBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如IRLR024PBF库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
IRLR024NTRPBF是MOSFET N-CH 55V 17A DPAK，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为45W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为55V，输入电容Cis-Vds为480pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为17A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为65mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@5V，Pd功耗为38W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，并且上升时间为74ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为17A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为7.1ns，Qg栅极电荷为10nC，信道模式是增强。
IRLR024NTRRPBF是MOSFET N-CH 55V 17A DPAK，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为74 ns，器件的漏极-源极电阻为110 mOhm，Qg栅极电荷为10 nC，Pd功耗为38 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为17A，下降时间为29ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRLR024NTRLPBF是MOSFET N-CH 55V 17A DPAK，包括17A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供to-252-3等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及38 W Pd功耗，该器件也可以用作10nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为110毫欧姆，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极源极击穿电压为55伏，Vgs栅源极电压为16伏。
