9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3424BDV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3424BDV-T1-GE3参考价格为0.65000美元。Vishay Siliconix SI3424BDV-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP。您可以下载SI3424BDV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si3424BDV-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于Si3424BDV-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为85 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为28mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强型。
SI3422DV-T1，带有VISHAY制造的用户指南。SI3422DV-T1采用SOT163封装，是IC芯片的一部分。
SI3424BDV，带有VISHAY制造的电路图。SI3424BDV在TSOP封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI3424BDV-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP。SI3424BDV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP、N沟道30V 8A（Tc）2.1W（Ta）、2.98W（Tc）表面安装6-TSOP、Trans MOSFET N-CH30V 7A 6-Pin TSOP T/R。
