9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBF30STRLPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBF30STRLPBF价格参考3.75000美元。Vishay Siliconix IRFBF30STRLPBF封装/规格:MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263。您可以下载IRFBF30STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFBF30PBF是MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB,包括管封装,它们设计用于0.211644盎司的单位重量,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供TO-220-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供125 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为30 ns,上升时间为25 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为3.6 A,Vds漏极-源极击穿电压为900V,Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V,Rds导通漏极-漏极电阻为3.7欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为90ns,典型接通延迟时间为14ns,Qg栅极电荷为78nC,正向跨导最小值为2.3S,沟道模式为增强。
IRFBF20STRRPBF是MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.050717盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如8 ns,典型的关闭延迟时间设计为56 ns,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,器件在21纳秒上升时间内提供,器件具有8欧姆Rds漏极-源极电阻,Pd功耗为3.1W,封装为卷轴式,封装外壳为TO-252-3,通道数为1通道,安装方式为SMD/SMT,其最低工作温度范围为-55℃,其最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏电流为1.7 A,下降时间为32 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
IRFBF30是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB。IRFBF330可在TO-220-3封装中获得,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH900V 3.6A-TO-220AA、N沟道900V 3.6V(Tc)125W(Tc。
IRFBF30STRL是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK。IRFBF30CTRL有TO-263-3,D²Pak(2引线+接线片),TO-263AB封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH900V 3.6B D2PAK,N沟道900V 3.6V(Tc)125W(Tc,表面安装D2PAK)。