特色
- TJ=150°C时为650 V
- 最大RDS(开启)=900 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg=13 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss.eff=49 pF)
- 100%雪崩测试
- ESD提高容量
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 11.58864 | 11.58864 |
10+ | 10.34286 | 103.42861 |
100+ | 8.06279 | 806.27960 |
500+ | 6.66057 | 3330.28550 |
1000+ | 5.57703 | 5577.03300 |
2500+ | 5.57703 | 13942.58250 |
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