SISS10DN-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 7.67747 | 7.67747 |
10+ | 6.88799 | 68.87998 |
100+ | 5.36916 | 536.91620 |
500+ | 4.43526 | 2217.63100 |
1000+ | 3.50158 | 3501.58000 |
3000+ | 3.50158 | 10504.74000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.67747
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.68
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-16伏
- 最大功耗 57W (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 75 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 2.65欧姆@15A、10V
- 供应商设备包装 PowerPAK1212-8S
- 包装/外壳 PowerPAK1212-8S
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3750 pF @ 20 V
- 色彩/颜色 不锈钢
SISS10DN-T1-GE3 产品详情
Vishay Siliconix 40V/100V TrenchFET� 雷电场效应晶体管� 功率MOSFET提供工业低导通电阻和低总栅极电荷。对于设计师来说,低导通电阻意味着更低的传导损耗和节能绿色解决方案的功耗降低。可用的软件包包括TO-220、TO-252,以及节省空间的小轮廓PowerPAK� 选项这些器件经过100%Rg和UIS测试,无卤素,符合RoHS标准。采用TrenchFET ThunderFET功率MOSFET技术优化Qg、Qgd、,和Qgd/Qgs比率降低了与开关相关的功率损耗针对最低的RDS Qoss FOM(优异值)应用同步整流高功率密度DC/DCVRM和嵌入式DC/DC同步降压转换器负载切换电池管理电机驱动切换
SISS10DN-T1-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SISS10DN-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SISS10DN-T1-GE3价格参考¥7.677474,你可以下载 SISS10DN-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SISS10DN-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...