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PSMN7R5-30MLDX是MOSFET 30V N沟道7.5mOhm，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于LFPAK-4，提供Si等技术特性，沟道数设计用于1沟道，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作45W Pd功率耗散。此外，下降时间为5.5 ns，器件的上升时间为10.4 ns，器件具有2.2 V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为57 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第栅-源极阈值电压为2.2 V，漏极-漏极电阻为10.3 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8.5ns，典型接通延迟时间为7.1ns，Qg栅极电荷为11.3nC，信道模式为增强。
PSMN7R5-30YLDX是MOSFET 30V N沟道7.5mOhm，包括2.2V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在2.2V Vgs-栅源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30V，提供典型的开启延迟时间特性，如7.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为8.5 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为10.4 ns，器件的漏极-源极电阻为10.2 mOhms，Qg栅极电荷为11.3 nC，Pd功耗为34 W，封装为卷轴，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为51 a，下降时间为5.5ns，信道模式为增强。
带有NXP制造的电路图的PSMN7R5-30MLD。PSMN7R5-30MLD在LFPAK33封装中提供，是FET的一部分-单个。
