9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD024PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD024PBF参考价格为1.78000美元。Vishay Siliconix IRFD024PBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP。您可以下载IRFD024PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFD020PBF是MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP，包括管封装，它们设计用于0.022575盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装盒功能，如DIP-4，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1.3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为200mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为8.7ns，Qg栅极电荷为11nC，沟道模式为增强。
IRFD024是MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于13 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如25 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，上升时间为58 ns，器件提供100 mOhms Rds漏源电阻，器件具有1.3 W Pd功耗，封装为管，封装外壳为HVMDIP-4，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为2.5A，下降时间为58ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRFD020是由SILICONIX制造的MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP。IRFD020可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP。
