9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17510Q5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17510Q5A价格参考1.30000美元。德州仪器CSD17510Q5A封装/规格：MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON。您可以下载CSD17510Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17507Q5A是MOSFET N-CH 30V 65A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为530pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为13A（Ta），65A（Tc），最大Id Vgs为10.8 mOhm@11A，10V，Vgs最大Id为2.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.6nC@4.5V，Pd功耗为3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.6V，Rds漏极源极导通电阻为11.8mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为2.8nC，正向跨导最小值为16S。
CSD17507带有TI制造的用户指南。CSD17507采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
CSD17510，带有TI制造的电路图。CSD17510采用QFN8封装，是FET的一部分-单个。
