9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4386DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4386DY-T1-E3参考价格为1.46000美元。Vishay Siliconix SI4386DY-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 11A 8SO。您可以下载SI4386DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4384DY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4384DY-E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.47W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10A（Ta），最大Id Vgs的Rds为8.5 mOhm@15A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@4.5V，Pd功耗为1.47 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为13纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为8.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SI4384DY-T1-E3..，带有VISHAY制造的用户指南。SI4384DY-T1-E3..采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI4386DY，带有VISHAY制造的电路图。SI4386DY在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
