起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.17795 | 8.17795 |
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DN2625K4-G是一种低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用了先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件没有热失控和热诱导的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合各种开关和放大应用，其中需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。DN2625DK6-G在8引脚双焊盘DFN封装中包含两个MOSFET。14引线QFN封装中的DN2625K6-G不建议用于新设计，但可继续用于现有设计。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DN230-20GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥27.93384 |
| DN230-28GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥1,171.44926 |
| DN230-36GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥182.15894 |
| DN230-50GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥285.36736 |
| DN231-GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥530.18028 |
| DN231-PB | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥284.60251 |
| DN20B-20S(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥87.5232 |
| DN20B-36S(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥134.99317 |
| DN20B-50S(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥83.06158 |
| DN20B-50S(51) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥118.36347 |
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