9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFI20N65M5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFI20N65M5参考价格$3.84000。STMicroelectronics STFI20N65M5封装/规格：MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP。您可以下载STFI20N65M5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STFI15NM65N，带引脚细节，包括N通道MDmesh系列，设计用于管封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAKFP-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供30 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11.4 ns，上升时间为8.5 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为55.5ns，Qg栅极电荷为33.3nC。
带用户指南的STFI20N65M5，包括3 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于650 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及MDmesh商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M5，器件的上升时间为7.5 ns，器件的漏极-源极电阻为160 mOhms，Qg栅极电荷为36 nC，Pd功耗为30 W，封装为管，封装外壳为I2PAKFP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为18 A，下降时间为7.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的STFI15N65M5，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了11纳秒的下降时间，提供了连续漏电流特性，如11 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用I2PAKFP-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为25W，Qg栅极电荷为22nC，漏极电阻Rds为308mOhm，上升时间为8ns，系列为MDmesh M5，技术为Si，商品名为MDmese，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极电压为25V，Vgsth栅极-源阈值电压为4V。
STFI180N10F3带有ST制造的EDA/CAD模型。STFI180N20F3采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
