9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5476DU-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5476DU-T1-GE3价格参考1.38000美元。Vishay Siliconix SI5476DU-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET。您可以下载SI5476DU-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI5475DDC-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI5475DDC GE3的部件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.002998盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及8-SMD扁平引线封装外壳中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，配置为单，FET类型为MOSFET P沟道、金属氧化物，最大功率为5.7W，晶体管类型为1 P沟道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Ciss Vds为1600pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为32 mOhm@5.4A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为50nC@8V，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为40纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-漏极电阻为32m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强。
SI5475BDC-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8。SI5475BDC-T1-E3采用8-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8、P沟道12V 6A（Ta）2.5W（Ta）、6.3W（Tc）表面安装1206-8 ChipFET？，Trans MOSFET P-CH 12V 7.7A 8引脚片式FET T/R。
SI5475DC-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI5475DC-T1可提供1206-8封装，是FET的一部分-单个。
SI5475DC-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8。SI5475DC-T1-E3采用8-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8、P通道12V 5.5A（Ta）1.3W（Ta）表面安装1206-8 ChipFET？，Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8引脚片式FET T/R。
