9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFI24NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFI24NM60N价格参考3.90000美元。STMicroelectronics STFI24NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 17A I2PAKFP。您可以下载STFI24NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STFI24N60M2，带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式封装，安装样式如数据表注释所示，用于通孔，提供MDmesh等商品名称功能，包装盒设计用于I2PAKFP-3以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有30W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为18 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为168mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为29nC，沟道模式为增强型。
带用户指南的STFI20NM65N，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于25 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于710 V，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为13.5 ns，漏极-源极电阻Rds为270 mOhms，Qg栅极电荷为44 nC，Pd功耗为30 W，封装为管，封装盒为I2PAKFP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为15 A，下降时间为21 ns，配置为单一。
STFI20NK50Z是MOSFET N-CH 500V 17A I2PAK FP，包括17A Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1通道，封装盒设计用于I2PAKFP-3，以及管封装，该器件也可以用作40W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为85 nC，该器件提供270 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有串联N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。Vds漏极源极击穿电压为500 V，Vgs栅极-源极电压为30 V。
