9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4100DY-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4100DY-T1-GE3参考价格1.38000美元。Vishay Siliconix SI4100DY-T1-GE3封装/规格:MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO。您可以下载SI4100DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4100DY-T1-E3是MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC,包括TrenchFETR系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。SI4100DY-E3中使用的数据表注释中显示了零件别名,该产品提供单位重量功能,如0.006596盎司,安装样式设计为在SMD/SMT中工作,除了8-SOIC(0.154英寸,3.90mm宽)封装外壳外,该器件还可以用作硅技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装安装型,该器件具有1个通道数量的通道,供应商器件封装为8-SO,配置为单一,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为6W,晶体管类型为1 N通道,漏极至源极电压Vdss为100V,输入电容Cis-Vds为600pF@50V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为6.8A(Tc),最大Id Vgs的Rds为63 mOhm@4.4A,10V,Vgs最大Id为4.5V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V,Pd功耗为2.5W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为10 ns,上升时间为12ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为4.4A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Rds导通-漏极-漏极电阻为63mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为12ns15ns,典型接通延迟时间为15ns10ns,沟道模式为增强。
SI4100DY带有SI制造的用户指南。SI4100DY可在SOP-8封装中获得,是FET的一部分-单个。
SI4100DY-T1,带有VISHAY制造的电路图。SI4100DY-T1采用SO-8封装,是FET的一部分-单个。