9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8472DB-T2-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8472DB-T2-E1参考价格为0.59000美元。Vishay Siliconix SI8472DB-T2-E1封装/规格：MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT。您可以下载SI8472DB-T2-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI8472DB-T2-E1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI8466EDB-T2-E1是MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供MICROFOET TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在4-UFBGA、WLCSP以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有4微英尺的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为780mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为8V，输入电容Cis-Vds为710pF@4V，FET特性为标准，Rds On Max Id Vgs为43mOhm@2A，4.5V，Vgs th Max Id为700mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13nC@4.5V，Pd功耗为1.8W，下降时间为20ns，上升时间为30ns，Vgs栅极-源极电压为700mV，Id连续漏极电流为5.4A，Vds漏极-源极击穿电压为8V，Vgs第栅极-源极阈值电压为700mV，Rds漏极-源极电阻为43mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为13nC，正向跨导Min为30S。
SI8463BB-B-IS1是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC，包括2.7 V~5.5 V电压源，它们设计用于2500Vrms电压隔离，单位重量如数据表注释所示，用于0.006637 oz，提供通用型、技术设计用于电容耦合以及2.7 V最小电源电压，该器件还可以用作5.5 V电源电压最大值。此外，供应商器件封装为16-SOIC，该器件为Si8463BB系列，该器件具有3.8ns、2.8ns的上升-下降时间类型，脉宽失真最大值为2.5ns，传播延迟tpLH tpHL最大值为9.5ns、9.5ns，传播延时为6ns，产品为数字隔离器，并且极性是单向的并且包装是管交替包装，封装外壳为16-SOIC（0.154“，3.90mm宽），其工作温度范围为-40°C~125°C，工作电源电流为6 mA，通道数为6，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围-40 C，最大工作温度范围+125 C，隔离电压为2.5 kVrms，隔离类型为电容耦合，隔离功率为No，输入侧1侧2为2016/3/3 0:00:00，数据速率为150Mbps，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs（Typ），信道类型为单向。
SI8463BB-B-IS1R是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC，包括单向信道类型，它们设计用于25kV/μs（典型）共模瞬态抗扰度最小值，数据速率如数据表注释所示，用于150Mbps，提供输入侧1侧2功能，如2016/3/3 0:00:00，除了电容耦合隔离型之外，该器件还可以用作6个通道，其工作温度范围为-40°C~125°C，该设备采用16-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）包装箱，该设备具有磁带和卷轴（TR）包装和产品的替代包装为数字隔离器，传播延迟tpLH tpHL Max为9.5ns、9.5ns，脉宽失真Max为2.5ns，上升-下降时间Typ为3.8ns、2.8ns，系列为Si8463BB，供应商器件封装为16-SOIC，电源电压Max为5.5V，电源电压Min为2.7V，技术为电容耦合，类型为通用型，单位重量为0.006637盎司，电压隔离为2500Vrms，电压供应为2.7V~5.5V。
SI8465DB-T2-E1是MOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm@4.5V，包括SMD/SMT安装类型，它们设计为以单一配置运行。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘、晶体管极性等封装功能，设计用于P沟道，以及MicroFoot-4封装外壳，该器件还可以用作7S正向跨导最小值。此外，Qg栅极电荷为6nC，该器件以25ns典型关断延迟时间提供，该器件具有20ns的上升时间，典型接通延迟时间为20ns，Rds接通漏极-源极电阻为122mOhms，Vgs栅极-源极电压为12V，下降时间为10ns，Pd功耗为1.8W，晶体管类型为1 P沟道，沟道数为1沟道，其最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，Id连续漏极电流为-3.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V。
