9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD16323Q3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD16323第三季度参考价格为1.29000美元。德州仪器CSD16323Q3封装/规格：MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON。您可以下载CSD16323Q3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD16322Q5C是MOSFET DualCool N沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD16322Q 5C系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-Clip-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.1W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为3.7ns，上升时间为10.7ns，Vgs栅源电压为10V，Id连续漏电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.1V，Rds导通-漏极-漏极电阻为5.8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.3ns，典型接通延迟时间为6.1ns，Qg栅极电荷为6.8nC，正向跨导Min为106S。
CSD16322Q5是MOSFET N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括1.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供典型的开启延迟时间特性，如6.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为12.3 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD16322Q5系列，上升时间为10.7ns，Rds漏极-源极电阻为4.6mOhms，Qg栅极电荷为6.8nC，Pd功耗为3.1W，封装为卷轴，封装外壳为VSON-Clip-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为21 A，正向跨导最小值为106 S，下降时间为3.7 ns，配置为单一。
CSD16321Q5C是MOSFET N-CH 25V 100A 8SON，包括单一配置，它们设计为在17 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了150 S中使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流特性，如31 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用VSON-Clip-8封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为3.1W，Qg栅极电荷为14nC，漏极电阻Rds为2.6mOhm，上升时间为15ns，系列为CSD16321Q5C，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为9ns，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅源极电压为10V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.1V。
