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CSD19535KCS是MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET，包括CSD19535KCS系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为187A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.4mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为78nC，正向跨导Min为274S。
CSD19534Q5AT是MOSFET N-CH 100V 50 8SON，包括3.4V@250μ？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如15.1 mOhm@10A，10V，Power Max设计为3.2W，以及Digi-ReelR替代封装封装，该设备也可以用作8-PowerTDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装安装型，该设备具有1680pF@50V输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为22nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为100V，25°C的电流连续漏极Id为50A（Ta）。
CSD19535KTT是MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷轴封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于CSD19535KTT，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
