9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD18533Q5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD18533Q5A价格参考1.67000美元。德州仪器CSD18533Q5A封装/规格：MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON。您可以下载CSD18533Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD18532Q5B是MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为5070pF@30V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为100A（Ta），最大Id Vgs的Rds为3.2mOhm@25A，10V，Vgs的最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为58nC@10V，Pd功耗为3.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.1 ns，上升时间为7.2ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为172A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型导通延迟时间为5.8ns，Qg栅极电荷为44nC，正向跨导Min为143S。
CSD18533KCS是MOSFET 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT。。，包括1.9 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为5.7 ns，以及13 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD18533KCS，上升时间为4.8ns，漏极-源极电阻Rds为9mOhms，Qg栅极电荷为28nC，Pd功耗为160W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为114 A，正向跨导最小值为150 S，下降时间为3.2 ns，配置为单一。
CSD18532Q5BT是TI制造的“MOSFET 60V”。CSD18532Q 5BT采用VSON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET60V、Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8引脚VSON-CLIP EP T/R、MOSFET60V和N沟道NexFET Pwr MOSFET”。
