特色
- AEC合格
- 汽车MOSFET
- PPAP能力
应用
- 信息娱乐应用程序。
（图片：引出线）
BVSS123LT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安（Ta） 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.96958 | 2.96958 |
| 10+ | 2.23081 | 22.30813 |
| 100+ | 1.38991 | 138.99130 |
| 500+ | 0.95084 | 475.42400 |
| 1000+ | 0.73138 | 731.38800 |
| 3000+ | 0.65823 | 1974.70500 |
| 6000+ | 0.62165 | 3729.94800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.40416
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.97
在线询价
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.8V@1毫安
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 170毫安（Ta）
- 最大功耗 225毫瓦（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 6欧姆 @ 100毫安, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 20 pF @ 25 V
BVSS123LT1G 产品详情
汽车功率MOSFET是低功率应用的理想选择。100V，170mA，6欧姆，单N通道，SOT-23。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
BVSS123LT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BVSD-2032-COVER | 内存保护设备公司 (MPD) | 配套使用/相关货物: BVSD-2032-PC-ND和BVSD-2032/SM-ND 附件种类: 盖 包装: 散装 系列: Snap Dragon | ¥3.69388 |
 | BVSD-2032-SM | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Holder (Open, Cover Required) 电芯尺寸: 硬币，20.0毫米 电池数量: one 端接样式: SMD（SMT）选项卡 电池系列: 2032 包装: 托盘 | ¥14.26851 |
 | BVSD-2032-PC | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Holder (Open, Cover Required) 电芯尺寸: 硬币，20.0毫米 电池数量: one 端接样式: PC引脚 电池系列: 2032 包装: 托盘 | ¥16.58624 |
 | BVS002A | 巴鲁夫 (Balluff) | APPLICATION=OBJECT INSPECTION, R | ¥715.68705 |
 | BVS002F | 巴鲁夫 (Balluff) | APPLICATION=OBJECT INSPECTION, A | ¥11,780.04897 |
| BVS-A-R002-1.0 | 伊萨普兰 (Isabellenhuette) | 阻值：2mΩ 精度：±1% 功率：2W | ¥4.61365 |
| BVS-A-R004-1.0 | 伊萨普兰 (Isabellenhuette) | 电阻类型：采样电阻 阻值：4mΩ 精度：±1% 功率：4W 安装方式：贴片 | ¥4.72925 |
| BVS-M-R0005-1.0 | 伊萨普兰 (Isabellenhuette) | 阻值：0.5mΩ 精度：±1% 功率：5W | ¥5.80122 |
| BVS-M-R0003-1.0 | 伊萨普兰 (Isabellenhuette) | 电阻类型：分流器 阻值：0.3mΩ 精度：±1% 功率：3W 安装方式：贴片 | ¥6.0009 |
| BVS-I-R002-1.0 | 伊萨普兰 (Isabellenhuette) | 电阻类型：采样电阻 阻值：2mΩ 精度：±1% 功率：6W 安装方式：贴片 | ¥6.43178 |
BVSS123LT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BVSS123LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BVSS123LT1G价格参考￥3.404163，你可以下载 BVSS123LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BVSS123LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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