9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7461DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7461DP-T1-E3参考价格$2.51000。Vishay Siliconix SI7461DP-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8。您可以下载SI7461DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si7460DP-T1-E3是MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8，包括SI74xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于Si7460DP-T1的零件别名，该Si7460DP T1提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为5.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为18A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为60S，沟道模式为增强。
SI7460DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SI74xxDx系列，该器件的上升时间为16 ns，漏极-源极电阻Rds为9.6 mOhms，Pd功耗为5.4 W，零件别名为SI7460DP-GE3，封装为卷轴式，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为18 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7461DP，带有VIS制造的电路图。SI7461DP在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
