9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7465DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7465DP-T1-E3价格参考1.38000美元。Vishay Siliconix SI7465DP-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8。您可以下载SI7465DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7464DP-T1-E3是MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8，包括SI74xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SI7464DD-T1的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为1.8A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-电源电阻为240mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SI7464DP带有SI制造的用户指南。SI7464DPQFN-8封装，是FET的一部分-单体。
SI7465DP，带有SI制造的电路图。SI7465D可采用QFN-8封装，是FET的一部分-单个。
