这个平方米Vishay Semiconductor的MOSFET系列专为需要坚固和高可靠性的所有汽车应用而设计。
SQ坚固系列MOSFET的优点•AEC-Q101合格
•结温高达+175°C
•低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET®技术
•创新的节省空间包装选项
AEC-Q101型
SQM60030E_GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 29.11645 | 29.11645 |
| 10+ | 26.15411 | 261.54112 |
| 100+ | 21.43029 | 2143.02930 |
| 800+ | 18.24334 | 14594.67520 |
| 1600+ | 16.48491 | 26375.86080 |
- 库存: 752
- 单价: ¥29.11646
-
数量:
- +
- 总计: ¥29.12
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电流 (Id) @ 温度 120A（Tc）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@250A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12000 pF@25 V
- 最大功耗 375W (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 165 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 3.2毫欧姆@30A，10V
- 色彩/颜色 红色
SQM60030E_GE3 产品详情
N沟道MOSFET，汽车SQ加固系列，Vishay半导体
SQM60030E_GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SQM10SJB-0R1 | 国巨 (Yageo) | 电阻: 100毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 10W 组成成分: 陶瓷 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥3.57104 |
 | SQM10SJB-0R11 | 国巨 (Yageo) | 电阻: 110毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 10W 组成成分: 陶瓷 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥3.57104 |
 | SQM10SJB-0R12 | 国巨 (Yageo) | 电阻: 120毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 10W 组成成分: 陶瓷 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥3.57104 |
 | SQM10SJB-0R13 | 国巨 (Yageo) | 电阻: 130毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 10W 组成成分: 陶瓷 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥3.57104 |
 | SQM10SJB-0R15 | 国巨 (Yageo) | 电阻: 150毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 10W 组成成分: 陶瓷 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥3.57104 |
 | SQM10SJB-0R16 | 国巨 (Yageo) | 电阻: 160毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 10W 组成成分: 陶瓷 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥3.57104 |
 | SQM10SJB-0R18 | 国巨 (Yageo) | 电阻: 180毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 10W 组成成分: 陶瓷 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥3.57104 |
 | SQM10SJB-0R2 | 国巨 (Yageo) | 电阻: 200毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 10W 组成成分: 陶瓷 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥3.57104 |
 | SQM10SJB-0R22 | 国巨 (Yageo) | 电阻: 220毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 10W 组成成分: 陶瓷 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥3.57104 |
 | SQM10SJB-0R24 | 国巨 (Yageo) | 电阻: 240毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 10W 组成成分: 陶瓷 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥3.57104 |
SQM60030E_GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SQM60030E_GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SQM60030E_GE3价格参考￥29.116458，你可以下载 SQM60030E_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SQM60030E_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
