9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7461DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7461DP-T1-GE3参考价格$2.51000。Vishay Siliconix SI7461DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8。您可以下载SI7461DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7461DP-T1-E3是MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7461DD-GE3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.9W，晶体管类型为1 P沟道，漏极到源极电压Vdss为60V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8.6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为14.5mOhm@14.4A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为190nC@10V，Pd功耗为1.9W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为20纳秒，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.5毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为205纳秒，典型的开启延迟时间为20ns，信道模式为增强。
Si7460DP-T1-E3是MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SI74xxDx系列，该器件具有16 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为9.6 mOhms，Pd功耗为5.4 W，零件别名为SI7460DP-T1，封装为卷轴式，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为18 A，正向跨导最小值为60 S，下降时间为30 ns，配置为单一，信道模式为增强。
SI7460DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于16 ns，提供Id连续漏极电流功能，如18 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SO-8封装盒，该器件具有一个封装卷，部件别名为SI7460DP-GE3，Pd功耗为5.4W，漏极电阻Rds为9.6mOhm，上升时间为16ns，系列为SI74xxDx，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.017870oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SI7461DP，带有VIS制造的EDA/CAD模型。SI7461DP在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
