9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7465DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7465DP-T1-GE3价格参考1.38000美元。Vishay Siliconix SI7465DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8。您可以下载SI7465DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7465DP-T1-E3是MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SI7465DP-E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET/PPowerPAK商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，功率最大值为1.5W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为60V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为64mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为1.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9ns，上升时间为9s，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.2A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为64mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型导通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
SI7465DP带有SI制造的用户指南。SI7465D可采用QFN-8封装，是FET的一部分-单体。
SI7465DP-T1-E3..带有电路图SI7465DP-T1-E3...以QFN8封装形式提供，是IC芯片的一部分。
