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SSM3K339R,LF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23F 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.40416 3.40416
10+ 2.54950 25.49501
100+ 1.44351 144.35100
500+ 0.95606 478.03150
1000+ 0.73298 732.98100
3000+ 0.63737 1912.12500
6000+ 0.57363 3441.82800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.40416
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.40
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@1毫安
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、8伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.1 nC@4.2 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 130 pF@10 V
  • 包装/外壳 SOT-23-3扁平导线
  • 供应商设备包装 SOT-23F
  • 导通电阻 Rds(ON) 185毫欧姆@1A,8V

SSM3K339R,LF 产品详情

  • 应用范围:电源管理开关/DC-DC转换器
  • 极性:N-ch
  • 世代:U-MOSⅦ-H
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:泰国

特色

  • 装配底座:1.2 V
  • 装配底座:390 mΩ
  • 装配底座:238 mΩ
  • 装配底座:208 mΩ
  • 装配底座:201 mΩ
  • 装配底座:198 mΩ
  • 装配底座:185 mΩ
  • 装配底座:130 pF
  • 装配底座:1.1 nC

应用

电源管理开关/DC-DC转换器
SSM3K339R,LF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3K339R,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3K339R,LF价格参考¥3.404163,你可以下载 SSM3K339R,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3K339R,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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