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CSD13306WT是MOSFET 12V N沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD13306W系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000060盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于NexFET，以及DSBGA-6封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1.9 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅源电压为10 V，Id连续漏极电流为3.5A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs栅极-源极阈值电压为700mV，Rds导通漏极-漏极电阻为15.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为8.6nC，正向跨导最小值为15S，并且信道模式是增强。
CSD13303W1015是MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET，包括850 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于12 V，提供单位重量功能，如0.000060 oz，典型开启延迟时间设计为4.6 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD13303W1015，上升时间为10ns，漏极-源极电阻Rds为20mOhm，Qg栅极电荷为3.9nC，Pd功耗为1.65W，封装为Reel，封装盒为DSBGA-6，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为3.5A，正向跨导最小值为14S，下降时间为3.2ns，配置为单一。
CSD13306W是MOSFET 12 V N-ChanNexFET？功率MOSFET 6-DSBGA，包括3.5A Id的连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表注释中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供封装外壳功能，如WLP-6，封装设计为在卷筒中工作，以及15.5mOhms Rds漏极源电阻，该器件也可以用作CSD13306W系列。此外，该技术为Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs栅极-源极电压为+/-10V。
CSD13302WT是MOSFET 12 V N-ChanNexFET？功率MOSFET 4-DSBGA，包括Si技术，它们设计为使用卷轴封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供CSD13302W等系列功能，晶体管类型设计为在1 N通道以及1通道数量的通道中工作。
