9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5403DC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5403DC-T1-GE3参考价格为1.09000美元。Vishay Siliconix SI5403DC-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8。您可以下载SI5403DC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI5402DC-T2是MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm@10V，包括管封装，它们设计为在0.002998盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在ChipFET-8以及Si技术中工作，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强型。
SI5402DC-T3是MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.002998盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchFET，该器件采用Si技术，该器件的上升时间为10纳秒，漏极电阻Rds为35毫欧，Pd功耗为2.5瓦，封装为卷轴式，封装外壳为ChipFET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.7 A，下降时间为10 ns，配置为单一，通道模式为增强。
SI5402DC-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8。SI5402DC-T1-E3采用8-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8、N沟道30V 4.9B（Ta）1.3W（Ta）表面安装1206-8 ChipFET？，Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8引脚片式FET T/R。
