9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7309DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7309DN-T1-GE3价格参考1.09000美元。Vishay Siliconix SI7309DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8。您可以下载SI7309DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7309DN-T1-E3是MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7309DNV-E3中使用的零件别名，该SI7309DN-E3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为19.8W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为600pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为115 mOhm@3.9A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为22nC@10V，Pd功耗为3.2 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-65℃，下降时间为35 ns 33 ns，上升时间为80 ns 15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为115 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为33 ns 30 ns，并且典型的开启延迟时间是25ns 10ns，并且信道模式是增强。
SI7308DN-TI-GE3，带有VISHAY制造的用户指南。SI7308DN-TI-GE3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
SI7309DN-T1-E，带有VISHAY制造的电路图。SI7309DN-T1-E采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
