9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7153DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7153DN-T1-GE3参考价格为0.70000美元。Vishay Siliconix SI7153DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8。您可以下载SI7153DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7149DP-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SI7149DP-GE3的部件别名，该SI7149DPE-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAK-SO-8以及Si技术，该设备还可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有6.25 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为72 ns 110 ns，上升时间为14 ns 150 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为42A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-电源电阻为5.2mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为230ns，典型接通延迟时间为20ns 100ns，沟道模式为增强。
SI7149DN带有SI制造的用户指南。SI7149DN1212-8封装，是IC芯片的一部分。
SI7149DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7149DP-T1-E3采用DFN-8封装，是IC芯片的一部分。
