9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD25480F3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD25480F3参考价格为0.48000美元。德州仪器CSD25480F3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR。您可以下载CSD25480F3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD25402Q3A是MOSFET P-CH 20V 72A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有8-VSON（3.3x3.3）供应商器件封装，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.8W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为1790pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为72A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为8.9 mOhm@10A，4.5V，Vgs最大Id为1.15V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9.7nC@4.5V，Pd功耗为2.8 W，其最大工作温度范围为+125 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为-12 V，Id连续漏极电流为-15 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs栅-源极阈值电压为-900 mV，Rds漏极源极电阻为8.9 mOhms，晶体管极性为P沟道，并且典型的关断延迟时间是25ns，并且典型的接通延迟时间是10ns，并且Qg栅极电荷是7.5nC，并且正向跨导Min是59S，并且信道模式是耗尽。
CSD25404Q3是MOSFET 20V Pch MOSFET，包括-650 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-12 V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，具有典型的开启延迟时间特性，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在CSD25404Q3系列中提供，该器件的上升时间为8 ns，漏极-源极电阻Rds为150 mOhms，Qg栅极电荷为10.8 nC，Pd功耗为96 W，封装为卷轴式，通道数为1通道，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-104 A，下降时间为13 ns，配置为单通道，通道模式为耗尽模式。
CSD25404Q3T是TI制造的“MOSFET-20V”。CSD25404Q4T采用SON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET-20V、P沟道20V 104A（Tc）2.8W（Ta）、96W（Tc）表面安装8-VSON（3.3x3.3）、Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8引脚VSON-CLIP EP T/R、MOSFET-20W、P沟道NexFET Pwr MOSFET。
