STT5N2VH5

规格参数

• 长（英寸） -
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
• 漏源电压标 (Vdss) 20伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
• 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
• 部件状态 不适用于新设计
• 包装/外壳 SOT-23-6
• 供应商设备包装 SOT-23-6
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
• 最大功耗 1.6W（Tc）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Tj)
• 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 2A, 4.5V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 700mV @ 250A (Min)
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 367 pF @ 16 V