9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8425DB-T1-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8425DB-T1-E1参考价格为0.62000美元。Vishay Siliconix SI8425DB-T1-E1封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4WLCSP。您可以下载SI8425DB-T1-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI8424CDB-T1-E1是MOSFET N-CH 8V MICROFOOT，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供商品名功能，如MICROFOET TrenchFET，封装盒设计为在4-UFBGA、WLCSP以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有4微英尺的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为8V，输入电容Cis-Vds为2340pF@4V，FET特性为标准，最大Id Vgs的Rds为20 mOhm@2A，4.5V，Vgs的最大Id为800mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@4.5V，Pd功耗为2.7 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为40纳秒，Vgs栅源电压为5 V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为8V，Vgs栅极-源极阈值电压为800mV，Rds导通漏极-漏极电阻为20mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为150ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为40nC，正向跨导Min为30S。
带有用户指南的SI8423BD-D-ISR，包括2.7V~5.5V电压源，设计用于5000Vrms电压隔离，类型如数据表注释所示，用于一般用途，提供电容耦合等技术功能，供应商设备包设计用于16-SOIC以及汽车AEC-Q100系列，该设备也可以用作2ns，2ns升降时间典型值。此外，脉宽失真最大值为3ns，该设备提供11ns，11ns传播延迟tpLH tpHL Max，该设备具有磁带和卷轴（TR）交替包装，封装外壳为16-SOIC（0.295“，7.50mm宽），工作温度范围为-40°C~125°C，信道数为2，隔离功率为No，输入侧1侧2为2000/2/1 0:00:00，数据速率为150Mbps，共模瞬态抗扰度最小值为20kV/μs，信道类型为单向。
SI8424DB-T1-E1是VISHAY制造的MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP。SI8424DB-T1-E1以4-XFBGA、CSPBGA封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP、N沟道8V 12.2B（Tc）2.78W（Ta）、6.25W（Tc）表面安装4微脚、Trans MOSFET N-CH-Si 8V 8.1A 4引脚微脚T/R。
