9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN015-100YLX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN015-100YLX价格参考1.39000美元。Nexperia USA Inc.PSMN015-100YLX封装/规格：MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56。您可以下载PSMN015-100YLX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN011-60MLX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表注释中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及三重共源配置，该设备也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为91W，其最大工作温度范围为+175C，其最小工作温度范围是-55C，下降时间为15.5ns，上升时间为20.2ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为61A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，Rds漏极-源极电阻为11.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27.7ns，典型接通延迟时间为13.3ns，Qg栅极电荷为37.2nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的PSMN011-60MSX，包括第3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如6.7 ns，典型的关闭延迟时间设计为16.9 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为8.46ns，器件的漏极-源极电阻为11.3mOhms，Qg栅极电荷为23nC，Pd功耗为91W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为61 A，下降时间为9.18 ns，配置为三重共源，通道模式为增强型。
PSMN011-80YS，115是MOSFET N-CH 80V LFPAK，包括67A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于80V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了2800pF@40V输入电容Cis-Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件采用SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为117W，最大Id Vgs的Rds为11mOhm@25A、10V，供应商设备包为LFPAK、Power-SO8，Vgs th Max Id为4V@1mA。
PSMN011-60MS，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN011-60MS采用LFPAK33封装，是IC芯片的一部分。
