9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSC074N15NS5ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSC074N15NS5ATMA1参考价格为5.88000美元。Infineon Technologies BSC074N15NS5ATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3。您可以下载BSC074N15NS5ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSC072N08NS5ATMA1带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于与BSC072N08NS5 SP001232628零件别名一起操作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TDSON-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有69 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为74 a，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为10.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为24nC，正向跨导最小值为31S，沟道模式为增强。
BSC072N03LDGATMA1是MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于OptiMOS，提供Si等技术特性，系列设计用于BSC072N03，以及BSC072N03LD BSC072N03RDGXT G SP000359607部件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TDSON-8，该设备提供1信道数信道。
BSC072N03LG，电路图由NIFINEON制造。BSC072N03LG在FQN封装中提供，是IC芯片的一部分。
具有INFINEON制造的EDA/CAD模型的BSC072N10NS。BSC072N10NS采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
